従来より低コストで高輝度な青色LED開発へ

Semiconductor Todayによると、NTTの基礎研究所(厚木市森の里)で窒素化合物半導体を、六角形に結合したホウ素と窒素の化合物(h-BN)の薄膜をサファイア基板上に生成してから、その上に窒素化合物半導体デバイスを作ることで、サファイア基板から半導体デバイスを切り離して、他のシリコンや金属、透明なプラスチックなどの基板上に貼り付ける方法を開発したそうです。

これは、サファイア基板と半導体デバイスの間に挟まれた、h-BNの層を機械的な力で剥離させることによって実現するそうです。この方法を用いると特殊な機材や化学処理の必要が無く結晶の欠陥も少ないそうです。

この方法を用いて作成したLEDは、従来のLEDと同じ順方向電流で、およそ2.5倍の輝度が得られたそうです。

LED表示機やLED照明の低消費電力化に寄与しそうな成果ですね。