国会図書館の資料、LEDなど

大分、間が空いてしまいましたが、国会図書館でS.M.Sze著作の、半導体工学のテキストを複写できました。

東京本館にあった資料は日本語に翻訳されたもので、原著は関西館にあるとの事でした。

LEDの量子井戸構造についてはあまり詳しく触れられていませんでしたが、ダイオードの特性について興味深い記述がありました。

一つは、ダイオードの電流が小さいときには適用すべき式が異なるという事。

もう一つは材質がシリコンの場合は、一般的に用いられるI=I_s{exp(eV_F/k_bT)-1}の式が適用可能ですが、LEDに用いられる化合物半導体ではこの式をそのまま当てはめると、定量的な一致をさせることが出来ないということです。

複写した資料は、先日引っ越した際に発生した荷物の山に埋もれて、すぐには取り出せる状態ではないので、資料を取り出せたらまたLEDについて書いてみたいと思います。